NT5AD512M16C4-JRI vs NT5AD512M16A4-GZ השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של NT5AD512M16C4-JRI מאת Nanya Technology ו NT5AD512M16A4-GZ מאת Nanya Technology. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRI ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | NT5AD512M16C4-JRI | NT5AD512M16A4-GZ |
|---|---|---|
| מותג | Nanya Technology | Nanya Technology |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| סטטוס מלאי | In Stock | — |
| מחיר ליחידה (USD) | $75.58 | — |
| סוג זיכרון | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gbit | — |
| ארגון | 512M x 16 | 512M x 16 |
| קצב נתונים | 3200 Mbps (DDR4-3200) | — |
| מתח אספקה | 1.2 V | 1.2V |
| טווח טמפרטורת פעולה | -40°C to +95°C | Commercial and Industrial |
| מארז | TFBGA-96 | TFBGA-96 |
| סוג הרכבה | Surface Mount | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | Yes |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | Yes |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Density | — | 8Gb |
| תדר שעון מקסימלי | — | 1200 MHz |
| רוחב אפיק נתונים | — | 16 bits |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Interleaved Burst Length | — | 4, 8 |
| Access Mode | — | Four Bank Page Burst |
| Lead-Free | — | Yes |
| Data Mask Function | — | Yes |
| Write Leveling Function | — | Yes |
| ZQ Calibration Function | — | Yes |