NT5CB256M16CP-DI vs W9751G6KB-25 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5CB256M16CP-DI द्वारा Nanya Technology और W9751G6KB-25 द्वारा Winbond. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ सक्रिय
Winbond
W9751G6KB-25 W9751G6KB-25 - 512Mb DDR2-800 SDRAM, x16, 84-WBGA | Winbond

W9751G6KB-25 - 512Mb DDR2-800 SDRAM, x16, 84-WBGA | Winbond

W9751G6KB-25 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर NT5CB256M16CP-DI W9751G6KB-25
ब्रांड Nanya Technology Winbond
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
मेमोरी प्रकार DDR3L SDRAM Volatile DRAM (DDR2 SDRAM)
संगठन 256M x 16 32M words x 16 bits
Density 4 Gb —
सप्लाई वोल्टेज 1.35 V (DDR3L) 1.8 V typical
डेटा दर 1600 Mbps/pin (max) 800 MT/s
पैकेज TFBGA-96 84-ball WBGA / TFBGA, 8 x 12.5 mm
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
ऑपरेटिंग तापमान रेंज -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
मेमोरी आकार — 512 Mbit (32M x 16)
Speed Grade — -25 (DDR2-800)
Clock Frequency — 400 MHz
Access Time — 57.5 ns (CAS latency timing window)
इंटरफ़ेस प्रकार — Parallel DDR2 (SSTL_18)
Refresh Cycles — 8K (per JEDEC DDR2 standard)
Burst Length — 4 or 8 (programmable)
CAS लेटेंसी — Programmable (typically 3 to 6)
On-Die Termination — Yes (ODT)
Self Refresh — Yes
ऑपरेटिंग तापमान — [DATA_NEEDED: operating temperature grade]
माउंटिंग प्रकार — Surface Mount
RoHS स्थिति — Compliant

डेटाशीट और संसाधन

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