NT5CB256M16CP-DI vs W9751G6KB-25 比較

詳細並排比較 NT5CB256M16CP-DI 由 Nanya Technology 與 W9751G6KB-25 由 Winbond. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況,以找出最符合您設計需求的元件。

Nanya Technology
NT5CB256M16CP-DI NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CB256M16CP-DI ✓ 啟用中

規格比較

參數 NT5CB256M16CP-DI W9751G6KB-25
品牌 Nanya Technology Winbond
類別 Memory ICs Memory ICs
生命週期狀態 啟用中 啟用中
記憶體類型 DDR3L SDRAM Volatile DRAM (DDR2 SDRAM)
組織 256M x 16 32M words x 16 bits
Density 4 Gb —
供應電壓 1.35 V (DDR3L) 1.8 V typical
資料速率 1600 Mbps/pin (max) 800 MT/s
封裝 TFBGA-96 84-ball WBGA / TFBGA, 8 x 12.5 mm
Number of Banks 8 —
CAS Latency (CL) 5, 6, 7, 8, 9, 10, 11 —
Write Latency (CWL) 5, 6, 7, 8, 9 —
Additive Latency 0-13 —
工作溫度範圍 -40°C to +95°C (industrial), -40°C to +105°C (automotive) —
RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Differential Clock Input Yes (CK, CK#) —
On-Die Termination (ODT) Yes —
記憶體容量 — 512 Mbit (32M x 16)
Speed Grade — -25 (DDR2-800)
Clock Frequency — 400 MHz
Access Time — 57.5 ns (CAS latency timing window)
介面類型 — Parallel DDR2 (SSTL_18)
Refresh Cycles — 8K (per JEDEC DDR2 standard)
Burst Length — 4 or 8 (programmable)
CAS 延遲 — Programmable (typically 3 to 6)
On-Die Termination — Yes (ODT)
Self Refresh — Yes
工作溫度 — [DATA_NEEDED: operating temperature grade]
安裝類型 — Surface Mount
RoHS 狀態 — Compliant

資料表與資源

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