NT5CC256M16ER-EK vs H5TC4G63AFR-PBJ तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5CC256M16ER-EK द्वारा Nanya Technology और H5TC4G63AFR-PBJ द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | NT5CC256M16ER-EK | H5TC4G63AFR-PBJ |
|---|---|---|
| ब्रांड | Nanya Technology | SK hynix |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | — |
| संगठन | 256M x 16 | — |
| सप्लाई वोल्टेज | 1.35 V | 1.35 V |
| डेटा दर | 933 MHz (DDR3L-1866) | [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)] |
| पैकेज | TFBGA-96 | 96-ball TFBGA |
| ऑपरेटिंग तापमान | 0°C to +95°C | — |
| CAS लेटेंसी | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| इंटरफ़ेस | Parallel | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | — |
| RoHS स्थिति | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS Status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| Dynamic ODT | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| मेमोरी आकार | — | 4 Gb (256M x 16) |
| Temperature Grade | — | Industrial (-40°C to +95°C) |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| Package Shape | — | Rectangular |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Access Time | — | 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet) |
| Data Mask | — | Yes |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination | — | Yes |