NT5CC256M16ER-EK vs H5TC4G63AFR-PBJ Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma NT5CC256M16ER-EK tarafından Nanya Technology ve H5TC4G63AFR-PBJ tarafından SK hynixAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Nanya Technology
NT5CC256M16ER-EK NT5CC256M16ER-EK - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EK - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EK ✓ Aktif
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBJ H5TC4G63AFR-PBJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBJ ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre NT5CC256M16ER-EK H5TC4G63AFR-PBJ
Marka Nanya Technology SK hynix
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Bellek Türü DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gbit —
Organizasyon 256M x 16 —
Besleme Gerilimi 1.35 V 1.35 V
Veri Hızı 933 MHz (DDR3L-1866) [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)]
Paket TFBGA-96 96-ball TFBGA
İşletim Sıcaklığı 0°C to +95°C —
CAS Gecikme [DATA_NEEDED: CAS Latency] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Arayüz Parallel —
Montaj Türü Surface Mount —
RoHS Durumu Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Lead-Free Yes —
Auto Self-Refresh Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes Yes
Bellek Boyutu — 4 Gb (256M x 16)
Temperature Grade — Industrial (-40°C to +95°C)
Refresh Cycles — 8192
Package Shape — Rectangular
Number of Terminals — 96
Access Time — 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet)
Data Mask — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin