NT5CC256M16ER-EK vs H5TC4G63AFR-PBJ So sánh

So sánh chi tiết song song của NT5CC256M16ER-EK bằng Nanya Technology và H5TC4G63AFR-PBJ bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Nanya Technology
NT5CC256M16ER-EK NT5CC256M16ER-EK - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EK - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EK ✓ Hoạt động
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBJ H5TC4G63AFR-PBJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBJ ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số NT5CC256M16ER-EK H5TC4G63AFR-PBJ
Thương hiệu Nanya Technology SK hynix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gbit —
Tổ chức 256M x 16 —
Điện áp cung cấp 1.35 V 1.35 V
Tốc độ dữ liệu 933 MHz (DDR3L-1866) [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)]
Hộp TFBGA-96 96-ball TFBGA
Nhiệt độ hoạt động 0°C to +95°C —
Latency CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Giao diện Parallel —
Kiểu lắp đặt Surface Mount —
Trạng thái RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Lead-Free Yes —
Auto Self-Refresh Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes Yes
Kích thước bộ nhớ — 4 Gb (256M x 16)
Temperature Grade — Industrial (-40°C to +95°C)
Refresh Cycles — 8192
Package Shape — Rectangular
Number of Terminals — 96
Access Time — 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet)
Data Mask — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá