NT5CC256M16ER-EK vs H5TC4G63AFR-PBJ موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از NT5CC256M16ER-EK بذریعہ Nanya Technology اور H5TC4G63AFR-PBJ بذریعہ SK hynix. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Nanya Technology
NT5CC256M16ER-EK NT5CC256M16ER-EK - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EK - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EK ✓ فعال
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBJ H5TC4G63AFR-PBJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBJ - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK Hynix

H5TC4G63AFR-PBJ ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر NT5CC256M16ER-EK H5TC4G63AFR-PBJ
برانڈ Nanya Technology SK hynix
زمرہ Memory ICs Memory ICs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
میموری ٹائپ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gbit —
تنظیم 256M x 16 —
سپلائی وولٹیج 1.35 V 1.35 V
ڈیٹا ریٹ 933 MHz (DDR3L-1866) [DATA_NEEDED: Data rate (e.g., 1600 Mbps)]
پیکیج TFBGA-96 96-ball TFBGA
آپریٹنگ درجہ حرارت 0°C to +95°C —
CAS لیٹنسی [DATA_NEEDED: CAS Latency] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
انٹرفیس Parallel —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount —
RoHS اسٹیٹس Compliant [DATA_NEEDED: RoHS Status]
Lead-Free Yes —
Auto Self-Refresh Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes Yes
میموری سائز — 4 Gb (256M x 16)
Temperature Grade — Industrial (-40°C to +95°C)
Refresh Cycles — 8192
Package Shape — Rectangular
Number of Terminals — 96
Access Time — 0.225 ns (from H5TC4G63AFR-PBR datasheet)
Data Mask — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Dynamic On-Chip Termination — Yes

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں