NT5CC256M16ER-EKT vs K4B4G1646E-BYMA तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना NT5CC256M16ER-EKT द्वारा Nanya Technology और K4B4G1646E-BYMA द्वारा Samsung Electronics. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Nanya Technology
NT5CC256M16ER-EKT NT5CC256M16ER-EKT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EKT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EKT ✓ सक्रिय
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर NT5CC256M16ER-EKT K4B4G1646E-BYMA
ब्रांड Nanya Technology Samsung Electronics
श्रेणी Memory ICs Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) — $14.32
मेमोरी प्रकार DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
संगठन 256M x 16 256M x 16
सप्लाई वोल्टेज 1.35 V (1.5 V compatible) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Speed Grade DDR3L-1866 (1866 Mbps) —
CAS लेटेंसी 13 [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Timing 13-13-13 —
पैकेज 96-ball TFBGA FBGA-96
ऑपरेटिंग तापमान रेंज 0°C to +95°C —
इंटरफ़ेस 16-bit —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) [DATA_NEEDED: Burst Length]
On-Die Termination Yes (dynamic) —
ZQ Calibration Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
RoHS Compliant Compliant
Clock Frequency — 933 MHz
डेटा दर — 1866 Mbps/pin
ऑपरेटिंग तापमान — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
माउंटिंग प्रकार — Surface Mount
पिन की संख्या — 96

डेटाशीट और संसाधन

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