NT5CC256M16ER-EKT vs K4B4G1646E-BYMA So sánh

So sánh chi tiết song song của NT5CC256M16ER-EKT bằng Nanya Technology và K4B4G1646E-BYMA bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Nanya Technology
NT5CC256M16ER-EKT NT5CC256M16ER-EKT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EKT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EKT ✓ Hoạt động
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số NT5CC256M16ER-EKT K4B4G1646E-BYMA
Thương hiệu Nanya Technology Samsung Electronics
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) — $14,32
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
Tổ chức 256M x 16 256M x 16
Điện áp cung cấp 1.35 V (1.5 V compatible) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Speed Grade DDR3L-1866 (1866 Mbps) —
Latency CAS 13 [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Timing 13-13-13 —
Hộp 96-ball TFBGA FBGA-96
Khoảng nhiệt độ hoạt động 0°C to +95°C —
Giao diện 16-bit —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) [DATA_NEEDED: Burst Length]
On-Die Termination Yes (dynamic) —
ZQ Calibration Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
RoHS Compliant Compliant
Clock Frequency — 933 MHz
Tốc độ dữ liệu — 1866 Mbps/pin
Nhiệt độ hoạt động — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
Kiểu lắp đặt — Surface Mount
Số lượng chân — 96

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá