NT5CC256M16ER-EKT vs K4B4G1646E-BYMA השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של NT5CC256M16ER-EKT מאת Nanya Technology ו K4B4G1646E-BYMA מאת Samsung Electronics. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Nanya Technology
NT5CC256M16ER-EKT NT5CC256M16ER-EKT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EKT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EKT ✓ פעיל
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר NT5CC256M16ER-EKT K4B4G1646E-BYMA
מותג Nanya Technology Samsung Electronics
קטגוריה Memory ICs Memory ICs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
מחיר ליחידה (USD) — $14.32
סוג זיכרון DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
ארגון 256M x 16 256M x 16
מתח אספקה 1.35 V (1.5 V compatible) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Speed Grade DDR3L-1866 (1866 Mbps) —
השהיית CAS 13 [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Timing 13-13-13 —
מארז 96-ball TFBGA FBGA-96
טווח טמפרטורת פעולה 0°C to +95°C —
ממשק 16-bit —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) [DATA_NEEDED: Burst Length]
On-Die Termination Yes (dynamic) —
ZQ Calibration Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
RoHS Compliant Compliant
Clock Frequency — 933 MHz
קצב נתונים — 1866 Mbps/pin
טמפרטורת פעולה — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
סוג הרכבה — Surface Mount
מספר פינים — 96

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר