NT5CC256M16ER-EKT vs K4B4G1646E-BYMA Ikinahambing
Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng NT5CC256M16ER-EKT sa pamamagitan ng Nanya Technology at K4B4G1646E-BYMA sa pamamagitan ng Samsung Electronics. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.
Pagsanggunian na paghahambing
| Parametro | NT5CC256M16ER-EKT | K4B4G1646E-BYMA |
|---|---|---|
| Brand | Nanya Technology | Samsung Electronics |
| Kategorya | Memory ICs | Memory ICs |
| Katayuan ng Lifecycle | Aktibo | Aktibo |
| Presyo ng Yunit (USD) | — | $14.32 |
| Uri ng Memory | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organisasyon | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Volte ng Pagbibigay | 1.35 V (1.5 V compatible) | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) |
| Speed Grade | DDR3L-1866 (1866 Mbps) | — |
| Latensya ng CAS | 13 | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Timing | 13-13-13 | — |
| Packhaging | 96-ball TFBGA | FBGA-96 |
| Hanay ng Temperature na Operasyon | 0°C to +95°C | — |
| Interface | 16-bit | — |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | [DATA_NEEDED: Burst Length] |
| On-Die Termination | Yes (dynamic) | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Clock Frequency | — | 933 MHz |
| Rate ng Data | — | 1866 Mbps/pin |
| Temperature na Operasyon | — | 0°C to +95°C |
| Operating Current | — | 14 mA |
| Standby Current | — | 2 mA, 3 mA |
| Uri ng Pagpapasok | — | Surface Mount |
| Bilang ng Pins | — | 96 |