NT5CC256M16ER-EKT vs K4B4G1646E-BYMA Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma NT5CC256M16ER-EKT tarafından Nanya Technology ve K4B4G1646E-BYMA tarafından Samsung ElectronicsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Nanya Technology
NT5CC256M16ER-EKT NT5CC256M16ER-EKT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EKT - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EKT ✓ Aktif
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMA K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA - 4Gb DDR3L SDRAM 1866MHz | Samsung

K4B4G1646E-BYMA ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre NT5CC256M16ER-EKT K4B4G1646E-BYMA
Marka Nanya Technology Samsung Electronics
Kategori Memory ICs Memory ICs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Birim Fiyat (USD) — $14,32
Bellek Türü DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gb 4 Gb
Organizasyon 256M x 16 256M x 16
Besleme Gerilimi 1.35 V (1.5 V compatible) 1.35 V (1.28 V to 1.575 V)
Speed Grade DDR3L-1866 (1866 Mbps) —
CAS Gecikme 13 [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Timing 13-13-13 —
Paket 96-ball TFBGA FBGA-96
İşletim Sıcaklığı Aralığı 0°C to +95°C —
Arayüz 16-bit —
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) [DATA_NEEDED: Burst Length]
On-Die Termination Yes (dynamic) —
ZQ Calibration Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
RoHS Compliant Compliant
Clock Frequency — 933 MHz
Veri Hızı — 1866 Mbps/pin
İşletim Sıcaklığı — 0°C to +95°C
Operating Current — 14 mA
Standby Current — 2 mA, 3 mA
Montaj Türü — Surface Mount
Pin Sayısı — 96

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin