UCC21550ADWR vs UCC21550BQDWRQ1 तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना UCC21550ADWR द्वारा Texas Instruments और UCC21550BQDWRQ1 द्वारा Texas Instruments. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

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UCC21550ADWR UCC21550ADWR - 4A/6A Isolated Dual Gate Driver | Texas Instruments

UCC21550ADWR - 4A/6A Isolated Dual Gate Driver | Texas Instruments

UCC21550ADWR ✓ सक्रिय
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UCC21550BQDWRQ1 UCC21550BQDWRQ1 - 4A/6A Automotive Isolated Gate Driver | Texas Instruments

UCC21550BQDWRQ1 - 4A/6A Automotive Isolated Gate Driver | Texas Instruments

UCC21550BQDWRQ1 ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर UCC21550ADWR UCC21550BQDWRQ1
ब्रांड Texas Instruments Texas Instruments
श्रेणी Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
Number of Channels 2 (dual) 2
Configuration Dual low-side, dual high-side, or half-bridge Two low-side / two high-side / half-bridge
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Isolation Type Reinforced, capacitive coupling Capacitive coupling
Isolation Voltage 5000 Vrms 5000 Vrms
CMTI > 125 V/ns —
Max VDD Output Supply 25 V —
UVLO Threshold Option 5 V —
Dead Time Programmable Programmable (external resistor)
Disable Function Yes (DISABLE pin) Yes
Driven Devices Power MOSFET, SiC, GaN, IGBT —
Junction Temperature Range -40C to +150C —
पैकेज 16-SOIC (DW) 16-SOIC (DW)
माउंटिंग प्रकार Surface Mount Surface Mount
RoHS स्थिति Compliant —
Driver Type — Dual-channel reinforced isolated gate driver
Isolation Grade — Reinforced isolation
UVLO Threshold — 8 V (driver supply)
Target Transistors — Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified (Q1)
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
ऑपरेटिंग सप्लाई वोल्टेज — [DATA_NEEDED: VCCI / VDD operating range]
Common-Mode Transient Immunity — [DATA_NEEDED: CMTI value]

डेटाशीट और संसाधन

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