UCC21550ADWR vs UCC21550BQDWRQ1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של UCC21550ADWR מאת Texas Instruments ו UCC21550BQDWRQ1 מאת Texas Instruments. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Texas Instruments
UCC21550ADWR UCC21550ADWR - 4A/6A Isolated Dual Gate Driver | Texas Instruments

UCC21550ADWR - 4A/6A Isolated Dual Gate Driver | Texas Instruments

UCC21550ADWR ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר UCC21550ADWR UCC21550BQDWRQ1
מותג Texas Instruments Texas Instruments
קטגוריה Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Number of Channels 2 (dual) 2
Configuration Dual low-side, dual high-side, or half-bridge Two low-side / two high-side / half-bridge
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Isolation Type Reinforced, capacitive coupling Capacitive coupling
Isolation Voltage 5000 Vrms 5000 Vrms
CMTI > 125 V/ns —
Max VDD Output Supply 25 V —
UVLO Threshold Option 5 V —
Dead Time Programmable Programmable (external resistor)
Disable Function Yes (DISABLE pin) Yes
Driven Devices Power MOSFET, SiC, GaN, IGBT —
Junction Temperature Range -40C to +150C —
מארז 16-SOIC (DW) 16-SOIC (DW)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
סטטוס RoHS Compliant —
Driver Type — Dual-channel reinforced isolated gate driver
Isolation Grade — Reinforced isolation
UVLO Threshold — 8 V (driver supply)
Target Transistors — Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified (Q1)
טווח טמפרטורת פעולה — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
מתח אספקה פעיל — [DATA_NEEDED: VCCI / VDD operating range]
Common-Mode Transient Immunity — [DATA_NEEDED: CMTI value]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר