UCC21550ADWR vs UCC21550BQDWRQ1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma UCC21550ADWR tarafından Texas Instruments ve UCC21550BQDWRQ1 tarafından Texas InstrumentsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre UCC21550ADWR UCC21550BQDWRQ1
Marka Texas Instruments Texas Instruments
Kategori Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Number of Channels 2 (dual) 2
Configuration Dual low-side, dual high-side, or half-bridge Two low-side / two high-side / half-bridge
Peak Source Current 4 A 4 A
Peak Sink Current 6 A 6 A
Isolation Type Reinforced, capacitive coupling Capacitive coupling
Isolation Voltage 5000 Vrms 5000 Vrms
CMTI > 125 V/ns —
Max VDD Output Supply 25 V —
UVLO Threshold Option 5 V —
Dead Time Programmable Programmable (external resistor)
Disable Function Yes (DISABLE pin) Yes
Driven Devices Power MOSFET, SiC, GaN, IGBT —
Junction Temperature Range -40C to +150C —
Paket 16-SOIC (DW) 16-SOIC (DW)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
RoHS Durumu Compliant —
Driver Type — Dual-channel reinforced isolated gate driver
Isolation Grade — Reinforced isolation
UVLO Threshold — 8 V (driver supply)
Target Transistors — Power MOSFET, SiC MOSFET, GaN FET, IGBT
Automotive Qualification — AEC-Q100 qualified (Q1)
İşletim Sıcaklığı Aralığı — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
İşletim Besleme Gerilimi — [DATA_NEEDED: VCCI / VDD operating range]
Common-Mode Transient Immunity — [DATA_NEEDED: CMTI value]

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin