YZ38F16SBB-9MFD-M vs H5TC4G63AFR-PBA तुलना

विस्तृत दोनों ओर की तुलना YZ38F16SBB-9MFD-M द्वारा Loongtion और H5TC4G63AFR-PBA द्वारा SK hynix. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。

Loongtion
YZ38F16SBB-9MFD-M YZ38F16SBB-9MFD-M - 4Gb DDR3L Industrial DRAM | Loongtion

YZ38F16SBB-9MFD-M - 4Gb DDR3L Industrial DRAM | Loongtion

YZ38F16SBB-9MFD-M ✓ सक्रिय
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ सक्रिय

विशेषता तुलना

पैरामीटर YZ38F16SBB-9MFD-M H5TC4G63AFR-PBA
ब्रांड Loongtion SK hynix
श्रेणी DRAM Memory ICs
लाइफसाइकिल स्थिति सक्रिय सक्रिय
यूनिट मूल्य (USD) — $3.98
मेमोरी प्रकार DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4Gb
संगठन 256M x 16 256M x 16
पैकेज 96-ball FBGA 96-ball FBGA
सप्लाई वोल्टेज 1.35V / 1.5V —
Speed Grade -9 (DDR3-1866) —
ऑपरेटिंग तापमान -40°C to +85°C —
इंटरफ़ेस JEDEC DDR3 16-bit I/O
ZQ Calibration External 240Ω ±1% resistor Yes
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
माउंटिंग प्रकार Surface Mount —
पिन काउंट 96 —
डेटा दर 1866 Mbps 1866 Mbps (PC3L-14900)
CAS लेटेंसी [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V
Ball Pitch — 0.8mm
Number of Banks — 8
Burst Length — 8 and 4 (with burst chop)
CAS Latency (CL) — 11, 12, 13
ऑपरेटिंग तापमान रेंज — 0°C to +95°C (Tcase)
On-Die Termination (ODT) — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Partial Array Self-Refresh — Yes

डेटाशीट और संसाधन

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