YZ38F16SBB-9MFD-M vs H5TC4G63AFR-PBA Ikinahambing

Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng YZ38F16SBB-9MFD-M sa pamamagitan ng Loongtion at H5TC4G63AFR-PBA sa pamamagitan ng SK hynix. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.

Loongtion
YZ38F16SBB-9MFD-M YZ38F16SBB-9MFD-M - 4Gb DDR3L Industrial DRAM | Loongtion

YZ38F16SBB-9MFD-M - 4Gb DDR3L Industrial DRAM | Loongtion

YZ38F16SBB-9MFD-M ✓ Nakahanda
SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ Nakahanda

Pagsanggunian na paghahambing

Parametro YZ38F16SBB-9MFD-M H5TC4G63AFR-PBA
Brand Loongtion SK hynix
Kategorya DRAM Memory ICs
Katayuan ng Lifecycle Aktibo Aktibo
Presyo ng Yunit (USD) — $3.98
Uri ng Memory DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4Gb
Organisasyon 256M x 16 256M x 16
Packhaging 96-ball FBGA 96-ball FBGA
Volte ng Pagbibigay 1.35V / 1.5V —
Speed Grade -9 (DDR3-1866) —
Temperature na Operasyon -40°C to +85°C —
Interface JEDEC DDR3 16-bit I/O
ZQ Calibration External 240Ω ±1% resistor Yes
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Uri ng Pagpapasok Surface Mount —
Bilang ng Pin 96 —
Rate ng Data 1866 Mbps 1866 Mbps (PC3L-14900)
Latensya ng CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency] —
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V
Ball Pitch — 0.8mm
Number of Banks — 8
Burst Length — 8 and 4 (with burst chop)
CAS Latency (CL) — 11, 12, 13
Hanay ng Temperature na Operasyon — 0°C to +95°C (Tcase)
On-Die Termination (ODT) — Yes
Write Leveling — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Partial Array Self-Refresh — Yes

Mga Datasheets at Resources

Tingnan ang Lahat ng mga Produkto Lumikha ng BOM Hilingin ang Kita