K4B4G1646Q vs MT41K256M16HA-125 Perbandingan

Perbandingan bersamaan detil K4B4G1646Q dari Samsung Electronics dan MT41K256M16HA-125 dari Micron Technology. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.

Samsung Electronics
K4B4G1646Q K4B4G1646Q - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646Q - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646Q ✓ Aktif
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Aktif

Perbandingan Spesifikasi

Parameter Umum K4B4G1646Q MT41K256M16HA-125
Merek Samsung Electronics Micron Technology
Kategori Memory ICs Memory ICs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Harga Unit (USD) — $6,36
Tipe Memori DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4Gb —
Organisasi 256M x 16 —
Lebar Bus Data 16 bits 16 bit
Tegangan Pemuat 1.35V 1.35 V
Laju Data 1866 Mbps (PC3-14900) —
Paket 96-ball FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Die Q-die —
Lead-Free Yes Yes
Bebas Halogen Yes —
RoHS Compliant Yes —
Burst Length 8 (BL8) —
On-Die Termination Yes (ODT) —
Latensi CAS Programmable 11
Suhu Kerja [DATA_NEEDED: Operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Ukuran Memori — 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
Jumlah Pin — 96
Tipe Mounting — Surface Mount
Status RoHS — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

Spek dan Sumber

Buka Semua Produk Buat BOM Ajukan Diskon