K4B4G1646Q vs MT41K256M16HA-125 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma K4B4G1646Q tarafından Samsung Electronics ve MT41K256M16HA-125 tarafından Micron TechnologyAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | K4B4G1646Q | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| Marka | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Kategori | Memory ICs | Memory ICs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Birim Fiyat (USD) | — | $6,36 |
| Bellek Türü | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4Gb | — |
| Organizasyon | 256M x 16 | — |
| Veri Bus Genişliği | 16 bits | 16 bit |
| Besleme Gerilimi | 1.35V | 1.35 V |
| Veri Hızı | 1866 Mbps (PC3-14900) | — |
| Paket | 96-ball FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Klorürsüz | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| CAS Gecikme | Programmable | 11 |
| İşletim Sıcaklığı | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Bellek Boyutu | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Pin Sayısı | — | 96 |
| Montaj Türü | — | Surface Mount |
| RoHS Durumu | — | Compliant |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |