K4B4G1646Q vs MT41K256M16HA-125 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار K4B4G1646Q توسط Samsung Electronics و MT41K256M16HA-125 توسط Micron Technology. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Samsung Electronics
K4B4G1646Q K4B4G1646Q - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646Q - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646Q ✓ فعال
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر K4B4G1646Q MT41K256M16HA-125
برند Samsung Electronics Micron Technology
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
قیمت واحد (USD) — $6.36
نوع حافظه DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4Gb —
سازمان 256M x 16 —
عرض گذرگاه داده 16 bits 16 bit
ولتاژ تغذیه 1.35V 1.35 V
نرخ داده 1866 Mbps (PC3-14900) —
بسته‌بندی 96-ball FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Die Q-die —
Lead-Free Yes Yes
بدون هالوژن Yes —
RoHS Compliant Yes —
Burst Length 8 (BL8) —
On-Die Termination Yes (ODT) —
تأخیر CAS Programmable 11
دمای کاری [DATA_NEEDED: Operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
اندازه حافظه — 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
تعداد پین‌ها — 96
نوع نصب — Surface Mount
وضعیت RoHS — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت