K4B4G1646Q vs MT41K256M16HA-125 Ikinahambing

Detalyadong pagkakahiwalay na pagkakahambing ng K4B4G1646Q sa pamamagitan ng Samsung Electronics at MT41K256M16HA-125 sa pamamagitan ng Micron Technology. Ikinahambing ang mga pangunahing paglalarawan, mga tama ng elektriko, paakay, kalagayan ng buhay, presyo, at pagkakaroon upang makita ang pinakamahusay na komponente para sa iyong mga kinakailangang pang disenyo.

Samsung Electronics
K4B4G1646Q K4B4G1646Q - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646Q - 4Gb DDR3L SDRAM x16 96FBGA | Samsung

K4B4G1646Q ✓ Nakahanda
Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Nakahanda

Pagsanggunian na paghahambing

Parametro K4B4G1646Q MT41K256M16HA-125
Brand Samsung Electronics Micron Technology
Kategorya Memory ICs Memory ICs
Katayuan ng Lifecycle Aktibo Aktibo
Presyo ng Yunit (USD) — $6.36
Uri ng Memory DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4Gb —
Organisasyon 256M x 16 —
Width ng Data Bus 16 bits 16 bit
Volte ng Pagbibigay 1.35V 1.35 V
Rate ng Data 1866 Mbps (PC3-14900) —
Packhaging 96-ball FBGA 96-FBGA (9x14 mm)
Die Q-die —
Lead-Free Yes Yes
Wala sa Halogen Yes —
RoHS Compliant Yes —
Burst Length 8 (BL8) —
On-Die Termination Yes (ODT) —
Latensya ng CAS Programmable 11
Temperature na Operasyon [DATA_NEEDED: Operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Laki ng Memory — 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency — 800 MHz
Access Time — 13.75 ns
Bilang ng Pins — 96
Uri ng Pagpapasok — Surface Mount
Tindminan RoHS — Compliant
Logic Family — CMOS
Refresh Interval — 7.8 us at 85C

Mga Datasheets at Resources

Tingnan ang Lahat ng mga Produkto Lumikha ng BOM Hilingin ang Kita