K4B4G1646Q vs MT41K256M16HA-125 比較
詳細並排比較 K4B4G1646Q 由 Samsung Electronics 與 MT41K256M16HA-125 由 Micron Technology. 比較關鍵規格、電氣參數、封裝、生命週期狀態、價格與供貨情況，以找出最符合您設計需求的元件。
規格比較
| 參數 | K4B4G1646Q | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| 品牌 | Samsung Electronics | Micron Technology |
| 類別 | Memory ICs | Memory ICs |
| 生命週期狀態 | 啟用中 | 啟用中 |
| 單價 (USD) | — | $6.36 |
| 記憶體類型 | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4Gb | — |
| 組織 | 256M x 16 | — |
| 資料匯流排寬度 | 16 bits | 16 bit |
| 供應電壓 | 1.35V | 1.35 V |
| 資料速率 | 1866 Mbps (PC3-14900) | — |
| 封裝 | 96-ball FBGA | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Die | Q-die | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| 無鹵素 | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Burst Length | 8 (BL8) | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| CAS 延遲 | Programmable | 11 |
| 工作溫度 | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| 記憶體容量 | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| 腳位數 | — | 96 |
| 安裝類型 | — | Surface Mount |
| RoHS 狀態 | — | Compliant |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |