NT5AD512M16C4-JR vs K4A8G165WC-BCRC Perbandingan

Perbandingan bersamaan detil NT5AD512M16C4-JR dari Nanya Technology dan K4A8G165WC-BCRC dari Samsung Electro-Mechanics. Bandingkan spesifikasi penting, parameter listrik, pengemasan, status cycle, harga, dan ketersediaan untuk menentukan komponen terbaik untuk kebutuhan desain Anda.

Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JR NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR ✓ Aktif
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ Aktif

Perbandingan Spesifikasi

Parameter Umum NT5AD512M16C4-JR K4A8G165WC-BCRC
Merek Nanya Technology Samsung Electro-Mechanics
Kategori Memory ICs EEPROM
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Status Stok — In Stock
Harga Unit (USD) $73,75 $19,69
Tipe Memori DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Organisasi 512M x16 512M x 16
Density 8 Gbit —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Laju Data 1.6 GHz (DDR4-3200) 2400 Mbps
Paket TFBGA-96 96-FBGA (TFBGA)
Rentang Suhu Kerja 0°C to +95°C —
Standby Current 0.023 A (max) —
Number of Terminals 96 —
Auto Self-Refresh Yes —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
RoHS Compliant —
Ukuran Memori — 8 Gbit
Clock Frequency — 1333 MHz
Tegangan Pemuat — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
Antarmuka — Parallel, 16-bit DDR
Standby Current (Idle) — 2 mA
Operating Current — 64 mA
Suhu Kerja — 0 C to +95 C
Tipe Mounting — Surface Mount
Fitur — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Die Generation — C-die
Memory Format — DRAM
Status RoHS — Compliant

Spek dan Sumber

Buka Semua Produk Buat BOM Ajukan Diskon