NT5AD512M16C4-JR vs K4A8G165WC-BCRC مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار NT5AD512M16C4-JR توسط Nanya Technology و K4A8G165WC-BCRC توسط Samsung Electro-Mechanics. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JR NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Nanya Tech

NT5AD512M16C4-JR ✓ فعال
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung

K4A8G165WC-BCRC ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر NT5AD512M16C4-JR K4A8G165WC-BCRC
برند Nanya Technology Samsung Electro-Mechanics
دسته‌بندی Memory ICs EEPROM
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
وضعیت موجودی — In Stock
قیمت واحد (USD) $73.75 $19.69
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
سازمان 512M x16 512M x 16
Density 8 Gbit —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
نرخ داده 1.6 GHz (DDR4-3200) 2400 Mbps
بسته‌بندی TFBGA-96 96-FBGA (TFBGA)
محدوده دمای کاری 0°C to +95°C —
Standby Current 0.023 A (max) —
Number of Terminals 96 —
Auto Self-Refresh Yes —
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes —
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic On-Chip Termination Yes —
ZQ Calibration Yes —
CRC Function Yes —
RoHS Compliant —
اندازه حافظه — 8 Gbit
Clock Frequency — 1333 MHz
ولتاژ تغذیه — 1.2 V (1.14 V to 1.26 V)
رابط — Parallel, 16-bit DDR
Standby Current (Idle) — 2 mA
Operating Current — 64 mA
دمای کاری — 0 C to +95 C
نوع نصب — Surface Mount
ویژگی‌ها — Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask
Die Generation — C-die
Memory Format — DRAM
وضعیت RoHS — Compliant

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت