NT5AD512M16C4-JR vs K4A8G165WC-BCRC So sánh
So sánh chi tiết song song của NT5AD512M16C4-JR bằng Nanya Technology và K4A8G165WC-BCRC bằng Samsung Electro-Mechanics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electro-Mechanics
K4A8G165WC-BCRC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400Mbps x16 | Samsung
K4A8G165WC-BCRC ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | NT5AD512M16C4-JR | K4A8G165WC-BCRC |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Nanya Technology | Samsung Electro-Mechanics |
| Danh mục | Memory ICs | EEPROM |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Trạng thái kho | — | In Stock |
| Giá đơn vị (USD) | $73,75 | $19,69 |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tổ chức | 512M x16 | 512M x 16 |
| Density | 8 Gbit | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | — |
| Tốc độ dữ liệu | 1.6 GHz (DDR4-3200) | 2400 Mbps |
| Hộp | TFBGA-96 | 96-FBGA (TFBGA) |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | 0°C to +95°C | — |
| Standby Current | 0.023 A (max) | — |
| Number of Terminals | 96 | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Kích thước bộ nhớ | — | 8 Gbit |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz |
| Điện áp cung cấp | — | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Giao diện | — | Parallel, 16-bit DDR |
| Standby Current (Idle) | — | 2 mA |
| Operating Current | — | 64 mA |
| Nhiệt độ hoạt động | — | 0 C to +95 C |
| Kiểu lắp đặt | — | Surface Mount |
| Tính năng | — | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, ZQ calibration, dynamic ODT, data mask |
| Die Generation | — | C-die |
| Memory Format | — | DRAM |
| Trạng thái RoHS | — | Compliant |