2N7002L vs BSS123NH6327XTSA1 比較

詳細な並列比較: 2N7002L メーカー: onsemi および BSS123NH6327XTSA1 メーカー: Infineon。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ 2N7002L BSS123NH6327XTSA1
ブランド onsemi Infineon
カテゴリ MOSFETs MOSFETs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.03 $0.09
トランジスタタイプ N-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 115 mA (Ta) 190 mA (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 7.5 ohm max at VGS = 5V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.5 V [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)]
Power Dissipation (PD) 200 mW (Ta), 225 mW max 500 mW (Ta)
Technology High cell density trench MOSFET —
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
パッケージ SOT-23 (SOT-23-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Configuration Single FET —
Switching Performance Fast switching, rugged and reliable —
Gate Drive 5V logic-level enhancement mode —
Typical Applications Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting —
Manufacturer onsemi Infineon Technologies
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Part Number — BSS123NH6327XTSA1
Part Status — Active
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
RDS(on) Max — 6 Ω @ VGS = 10 V
Gate-Source Voltage Max (VGS) — ±20 V
動作温度範囲 — -55 °C to +150 °C (junction)
Qualification — AEC-Q101 (automotive)
RoHS Compliance — Yes (Pb-free lead plating)
MSLレベル — 1 (per JEDEC J-STD-020)

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