2N7002L vs BSS123NH6327XTSA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از 2N7002L بذریعہ onsemi اور BSS123NH6327XTSA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر 2N7002L BSS123NH6327XTSA1
برانڈ onsemi Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 115 mA (Ta) 190 mA (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 7.5 ohm max at VGS = 5V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.5 V [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)]
Power Dissipation (PD) 200 mW (Ta), 225 mW max 500 mW (Ta)
Technology High cell density trench MOSFET —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پیکیج SOT-23 (SOT-23-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Configuration Single FET —
Switching Performance Fast switching, rugged and reliable —
Gate Drive 5V logic-level enhancement mode —
Typical Applications Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting —
Manufacturer onsemi Infineon Technologies
RoHS اسٹیٹس [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Part Number — BSS123NH6327XTSA1
Part Status — Active
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
RDS(on) Max — 6 Ω @ VGS = 10 V
Gate-Source Voltage Max (VGS) — ±20 V
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج — -55 °C to +150 °C (junction)
Qualification — AEC-Q101 (automotive)
RoHS Compliance — Yes (Pb-free lead plating)
MSL لیول — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں