2N7002L vs BSS123NH6327XTSA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của 2N7002L bằng onsemi và BSS123NH6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

onsemi
2N7002L 2N7002L - 60V N-Channel MOSFET, SOT-23 | onsemi

2N7002L - 60V N-Channel MOSFET, SOT-23 | onsemi

2N7002L ✓ Hoạt động
Infineon
BSS123NH6327XTSA1 BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 - 100V N-Ch MOSFET, 190mA | Infineon

BSS123NH6327XTSA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số 2N7002L BSS123NH6327XTSA1
Thương hiệu onsemi Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu transitor N-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 100 V
Continuous Drain Current (ID) 115 mA (Ta) 190 mA (Ta)
On-State Resistance (RDS(on)) 7.5 ohm max at VGS = 5V —
Gate-Source Voltage (VGS) +/-20 V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 1 V to 2.5 V [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)]
Power Dissipation (PD) 200 mW (Ta), 225 mW max 500 mW (Ta)
Technology High cell density trench MOSFET —
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Hộp SOT-23 (SOT-23-3) PG-SOT23 (SOT-23-3)
Configuration Single FET —
Switching Performance Fast switching, rugged and reliable —
Gate Drive 5V logic-level enhancement mode —
Typical Applications Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting —
Manufacturer onsemi Infineon Technologies
Trạng thái RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Part Number — BSS123NH6327XTSA1
Part Status — Active
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
RDS(on) Max — 6 Ω @ VGS = 10 V
Gate-Source Voltage Max (VGS) — ±20 V
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55 °C to +150 °C (junction)
Qualification — AEC-Q101 (automotive)
RoHS Compliance — Yes (Pb-free lead plating)
Cấp MSL — 1 (per JEDEC J-STD-020)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá