2N7002L vs BSS123NH6327XTSA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma 2N7002L tarafından onsemi ve BSS123NH6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | 2N7002L | BSS123NH6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Marka | onsemi | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Transistor Türü | N-Channel Enhancement Mode MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 100 V |
| Continuous Drain Current (ID) | 115 mA (Ta) | 190 mA (Ta) |
| On-State Resistance (RDS(on)) | 7.5 ohm max at VGS = 5V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) | +/-20 V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 1 V to 2.5 V | [DATA_NEEDED: typical and max VGS(th)] |
| Power Dissipation (PD) | 200 mW (Ta), 225 mW max | 500 mW (Ta) |
| Technology | High cell density trench MOSFET | — |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Paket | SOT-23 (SOT-23-3) | PG-SOT23 (SOT-23-3) |
| Configuration | Single FET | — |
| Switching Performance | Fast switching, rugged and reliable | — |
| Gate Drive | 5V logic-level enhancement mode | — |
| Typical Applications | Low-side switching, servo motor control, gate driving, logic-level shifting | — |
| Manufacturer | onsemi | Infineon Technologies |
| RoHS Durumu | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Part Number | — | BSS123NH6327XTSA1 |
| Part Status | — | Active |
| FET Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| RDS(on) Max | — | 6 Ω @ VGS = 10 V |
| Gate-Source Voltage Max (VGS) | — | ±20 V |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 °C to +150 °C (junction) |
| Qualification | — | AEC-Q101 (automotive) |
| RoHS Compliance | — | Yes (Pb-free lead plating) |
| MSL Seviyesi | — | 1 (per JEDEC J-STD-020) |