IRF9530NSTRLPBF vs IRF9540NSTRLPBF موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IRF9530NSTRLPBF بذریعہ Infineon اور IRF9540NSTRLPBF بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF - 100V P-Ch 23A MOSFET, 117mOhm | Infineon

IRF9540NSTRLPBF - 100V P-Ch 23A MOSFET, 117mOhm | Infineon

IRF9540NSTRLPBF ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IRF9530NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -14 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 200 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 38.7 nC (typ) 64.7 nC
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Power Dissition (PD) at TC=25C 79 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Thermal Resistance Theta_JC 1.5 C/W (typ) —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +150C (TJ) —
پیکیج D2PAK (TO-263-3) D2PAK (TO-263), surface mount
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free suffix) —
Technology HEXFET (Planar DMOS) HEXFET, Advanced Process
Avalanche Rated [DATA_NEEDED: EAS rating] Yes
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)
Product Type — Single P-Channel Power MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) — -100 V
Continuous Drain Current (Id) — -23 A (at Tc)
On-Resistance (Rds(on)) — 117 mOhm max
Power Dissipation (Ta) — 3.1 W
Power Dissipation (Tc) — 110 W
Operating Mode — Enhancement-mode
Lead Finish — Pb-free, RoHS-compliant
Shipping Media — Tape and Reel (TR suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں