IRF9530NSTRLPBF vs IRF9540NSTRLPBF So sánh

So sánh chi tiết song song của IRF9530NSTRLPBF bằng Infineon và IRF9540NSTRLPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IRF9530NSTRLPBF IRF9530NSTRLPBF -100V P-Ch HEXFET MOSFET, 14A, D2PAK | Infineon

IRF9530NSTRLPBF -100V P-Ch HEXFET MOSFET, 14A, D2PAK | Infineon

IRF9530NSTRLPBF ✓ Hoạt động
Infineon
IRF9540NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF - 100V P-Ch 23A MOSFET, 117mOhm | Infineon

IRF9540NSTRLPBF - 100V P-Ch 23A MOSFET, 117mOhm | Infineon

IRF9540NSTRLPBF ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IRF9530NSTRLPBF IRF9540NSTRLPBF
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -100 V —
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C -14 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=-10V 200 mOhm —
Total Gate Charge (Qg) 38.7 nC (typ) 64.7 nC
Gate-Source Voltage (VGS) max +/-20 V —
Gate Threshold Voltage VGS(th) [DATA_NEEDED: VGS(th) range] —
Power Dissition (PD) at TC=25C 79 W —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 3.8 W —
Thermal Resistance Theta_JC 1.5 C/W (typ) —
Khoảng nhiệt độ hoạt động -55C to +150C (TJ) —
Hộp D2PAK (TO-263-3) D2PAK (TO-263), surface mount
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (Pb-free suffix) —
Technology HEXFET (Planar DMOS) HEXFET, Advanced Process
Avalanche Rated [DATA_NEEDED: EAS rating] Yes
Manufacturer — Infineon (formerly International Rectifier)
Product Type — Single P-Channel Power MOSFET (HEXFET)
Drain-Source Voltage (Vdss) — -100 V
Continuous Drain Current (Id) — -23 A (at Tc)
On-Resistance (Rds(on)) — 117 mOhm max
Power Dissipation (Ta) — 3.1 W
Power Dissipation (Tc) — 110 W
Operating Mode — Enhancement-mode
Lead Finish — Pb-free, RoHS-compliant
Shipping Media — Tape and Reel (TR suffix)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá