K4A8G165WB-BCWE vs IS43QR16512B-062AABL 比較
詳細な並列比較: K4A8G165WB-BCWE メーカー: Samsung Electronics および IS43QR16512B-062AABL メーカー: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ 生産中仕様比較
| パラメータ | K4A8G165WB-BCWE | IS43QR16512B-062AABL |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $6.55 | $8.10 |
| メモリタイプ | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| メモリ構成 | 512M x 16 | 512M x 16 |
| データレート | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| 電源電圧 | 1.2 V | 1.2 V |
| Access Time (CAS Latency) | 19 ns | — |
| インターフェース | Parallel | POD (Pseudo Open Drain) |
| パッケージ | 96FBGA | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | 0C to +85C | 0°C to +95°C (case) |
| Burst Length | 8 | — |
| Bank Group Architecture | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration | — |
| Functions | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask | — |
| RoHS ステータス | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| メモリサイズ | — | 8 Gbit |
| CASレイテンシ | — | 22-22-22 |
| tRCD | — | 19 ns |
| RoHS | — | Compliant |
| ピン数 | — | 96 |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| データバス幅 | — | 16 bit |