K4A8G165WB-BCWE vs IS43QR16512B-062AABL Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4A8G165WB-BCWE von Samsung Electronics und IS43QR16512B-062AABL von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ AktivISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4A8G165WB-BCWE | IS43QR16512B-062AABL |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,55 | $8,10 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Datenrate | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Versorgungsspannung | 1.2 V | 1.2 V |
| Access Time (CAS Latency) | 19 ns | — |
| Schnittstelle | Parallel | POD (Pseudo Open Drain) |
| Gehäuse | 96FBGA | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | 0C to +85C | 0°C to +95°C (case) |
| Burst Length | 8 | — |
| Bank Group Architecture | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration | — |
| Functions | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Speichergröße | — | 8 Gbit |
| CAS-Latenz | — | 22-22-22 |
| tRCD | — | 19 ns |
| RoHS | — | Compliant |
| Anzahl der Pins | — | 96 |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Datenbusbreite | — | 16 bit |