K4A8G165WB-BCWE vs IS43QR16512B-062AABL Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4A8G165WB-BCWE par Samsung Electronics et IS43QR16512B-062AABL par ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ ActifISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4A8G165WB-BCWE | IS43QR16512B-062AABL |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,55 | $8,10 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Débit de données | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Tension d'alimentation | 1.2 V | 1.2 V |
| Access Time (CAS Latency) | 19 ns | — |
| Interface | Parallel | POD (Pseudo Open Drain) |
| Boîtier | 96FBGA | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | 0°C to +95°C (case) |
| Burst Length | 8 | — |
| Bank Group Architecture | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration | — |
| Functions | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Taille de mémoire | — | 8 Gbit |
| Latence CAS | — | 22-22-22 |
| tRCD | — | 19 ns |
| RoHS | — | Compliant |
| Nombre de broches | — | 96 |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Largeur du bus de données | — | 16 bit |