K4A8G165WB-BCWE vs IS43QR16512B-062AABL Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4A8G165WB-BCWE por Samsung Electronics y IS43QR16512B-062AABL por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ ActivoISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4A8G165WB-BCWE | IS43QR16512B-062AABL |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,55 | $8,10 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organización de memoria | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Velocidad de datos | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Tensión de alimentación | 1.2 V | 1.2 V |
| Access Time (CAS Latency) | 19 ns | — |
| Interfaz | Parallel | POD (Pseudo Open Drain) |
| Encapsulado | 96FBGA | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +85C | 0°C to +95°C (case) |
| Burst Length | 8 | — |
| Bank Group Architecture | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration | — |
| Functions | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Tamaño de memoria | — | 8 Gbit |
| Latencia CAS | — | 22-22-22 |
| tRCD | — | 19 ns |
| RoHS | — | Compliant |
| Número de pines | — | 96 |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Ancho del bus de datos | — | 16 bit |