K4A8G165WB-BCWE vs IS43QR16512B-062AABL Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4A8G165WB-BCWE от Samsung Electronics и IS43QR16512B-062AABL от ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ АктивенISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | K4A8G165WB-BCWE | IS43QR16512B-062AABL |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $6,55 | $8,10 |
| Тип памяти | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Организация памяти | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Скорость передачи данных | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Напряжение питания | 1.2 V | 1.2 V |
| Access Time (CAS Latency) | 19 ns | — |
| Интерфейс | Parallel | POD (Pseudo Open Drain) |
| Корпус | 96FBGA | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | 0C to +85C | 0°C to +95°C (case) |
| Burst Length | 8 | — |
| Bank Group Architecture | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration | — |
| Functions | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask | — |
| Статус RoHS | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Размер памяти | — | 8 Gbit |
| Задержка CAS | — | 22-22-22 |
| tRCD | — | 19 ns |
| RoHS | — | Compliant |
| Количество выводов | — | 96 |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Разрядность шины данных | — | 16 bit |