K4A8G165WB-BCWE vs IS43QR16512B-062AABL Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K4A8G165WB-BCWE por Samsung Electronics e IS43QR16512B-062AABL por ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K4A8G165WB-BCWE - 8Gb DDR4 SDRAM 3200Mbps 1.2V | Samsung
K4A8G165WB-BCWE ✓ AtivoISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43QR16512B-062AABL - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | ISSI
IS43QR16512B-062AABL ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | K4A8G165WB-BCWE | IS43QR16512B-062AABL |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| Categoria | Memory ICs | Memory ICs |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $6,55 | $8,10 |
| Tipo de memória | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gb | — |
| Organização da memória | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Taxa de dados | 3200 Mbps | 3200 MT/s |
| Tensão de alimentação | 1.2 V | 1.2 V |
| Access Time (CAS Latency) | 19 ns | — |
| Interface | Parallel | POD (Pseudo Open Drain) |
| Encapsulamento | 96FBGA | 96-TWBGA (7.5x13.5 mm) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de operação | 0C to +85C | 0°C to +95°C (case) |
| Burst Length | 8 | — |
| Bank Group Architecture | Yes | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes, dynamic ODT with ZQ calibration | — |
| Functions | Auto precharge, asynchronous reset, CRC, data mask | — |
| Status RoHS | Compliant | — |
| Lead Free | Yes | — |
| Tamanho da memória | — | 8 Gbit |
| Latência CAS | — | 22-22-22 |
| tRCD | — | 19 ns |
| RoHS | — | Compliant |
| Número de pinos | — | 96 |
| Clock Frequency | — | 1.6 GHz |
| Largura do barramento de dados | — | 16 bit |