2EDL8034G4CXTMA1 vs 1EDN7146UXTSA1 비교

다음의 상세 나란히 비교: 2EDL8034G4CXTMA1 제조: Infineon 및 1EDN7146UXTSA1 제조: Infineon. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 2EDL8034G4CXTMA1 1EDN7146UXTSA1
브랜드 Infineon Infineon
카테고리 Power MOSFET Drivers Power MOSFET Drivers
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $1.55 $0.82
Driver Type Half-Bridge (High-Side / Low-Side) Single-channel high-side TDI gate driver
Configuration Non-Inverting —
Bootstrap Voltage (Max) 120 V —
Peak Source Current 3 A —
Peak Sink Current 4 A —
출력 수 2 —
Rise Time (Typical) [DATA_NEEDED: rise time ns] —
Fall Time (Typical) [DATA_NEEDED: fall time ns] —
Propagation Delay (Typical) [DATA_NEEDED: propagation delay ns] —
Input Logic Compatibility 3.3 V / 5 V —
VCC Supply Voltage [DATA_NEEDED: VCC range V] —
UVLO Protection Yes (VCC and VBS) —
Isolation Type Junction-isolated (level-shifted) —
ESD Rating (HBM) [DATA_NEEDED: ESD HBM kV] —
동작 접합 온도 -40 C to +125 C —
패키지 PG-VDSON-10-2 (DSN-10) with exposed pad PG-VSON-1 (6-pin with exposed pad)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
Lead-Free / RoHS Yes (per Infineon product page) —
MSL 레벨 [DATA_NEEDED: MSL level] [DATA_NEEDED: MSL rating]
Maximum Blocking Voltage — 200 V
Input Configuration — Truly differential (TDI)
Output Current (Source / Sink) — 1.5 A / 2.5 A
Propagation Delay — [DATA_NEEDED: typical propagation delay ns]
상승 시간 — [DATA_NEEDED: typical rise time ns]
하강 시간 — [DATA_NEEDED: typical fall time ns]
Supply Voltage (VCC) — [DATA_NEEDED: VCC range V]
동작 온도 범위 — -40C to +125C
Target Transistor — GaN SG HEMT or power MOSFET
RoHS 상태 — Compliant
Topology Support — Half-bridge, low-side, high-side

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