BSC016N06NSTATMA1 vs IPT008N06NM5LFATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci BSC016N06NSTATMA1 disebabkan oleh Infineon dan IPT008N06NM5LFATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr BSC016N06NSTATMA1 IPT008N06NM5LFATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC016N06NSTATMA1 —
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 31 A —
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) 1.6 mOhm —
Power Dissipation (Tc) 167 W 278 W
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Kemasan PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-HSOF-8 (single, flat-lead)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Gambaran Suhu Operasi -55 C to +150 C -55 °C to +175 °C (TJ)
Aras MSL [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Series OptiMOS —
Part Family — OptiMOS 5 / Linear FET
Jenis Transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 454 A
Arus Alir Gesa — [DATA_NEEDED: pulsed ID]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V — 0.8 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 3.6 V (typ, 250 µA test)
Gate Drive (recommended) — 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS)
REACH Status — Compliant
AEC-Q100 — not_qualified (industrial-grade by default)

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga