BSC016N06NSTATMA1 vs IPT008N06NM5LFATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC016N06NSTATMA1 tarafından Infineon ve IPT008N06NM5LFATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC016N06NSTATMA1 IPT008N06NM5LFATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSC016N06NSTATMA1 —
FET Type N-Channel —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET (OptiMOS 5)
Drain-to-Source Voltage (VDS) 60 V —
Gate-to-Source Voltage (VGS) ±20 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25C) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, Ta=25C) 31 A —
On-Resistance RDS(on) max (VGS=10V) 1.6 mOhm —
Power Dissipation (Tc) 167 W 278 W
Power Dissipation (Ta) 3 W —
Paket PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6 mm) PG-HSOF-8 (single, flat-lead)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 C to +150 C -55 °C to +175 °C (TJ)
MSL Seviyesi [DATA_NEEDED: MSL level] 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Series OptiMOS —
Part Family — OptiMOS 5 / Linear FET
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 454 A
Pulsed Dræn Akımı — [DATA_NEEDED: pulsed ID]
On-Resistance RDS(on) at VGS=10 V — 0.8 mΩ
Gate-Source Threshold Voltage VGS(th) — 3.6 V (typ, 250 µA test)
Gate Drive (recommended) — 10 V (logic-level compatible above 4.5 V VGS)
REACH Status — Compliant
AEC-Q100 — not_qualified (industrial-grade by default)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin