BSC060P03NS3EGATMA1 vs IRF5305STRRPBF Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci BSC060P03NS3EGATMA1 disebabkan oleh Infineon dan IRF5305STRRPBF disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr BSC060P03NS3EGATMA1 IRF5305STRRPBF
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Polarity P-Channel P-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V —
Continuous Drain Current (Ta) 17.7 A —
Continuous Drain Current (Tc) 100 A —
On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 6 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ -2.5 V —
Total Gate Charge Qg @ VGS=10V 81 nC —
Input Capacitance Ciss 6.02 nF —
Output Capacitance Coss 2.81 nF —
Reverse Transfer Capacitance Crss 220 pF —
Power Dissipation (Ta) 2.5 W —
Power Dissipation (Tc) 83 W —
Gambaran Suhu Operasi -55°C to +150°C —
Kemasan PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) D2PAK (TO-263) Surface Mount
Technology OptiMOS™ P-channel Trench HEXFET (Advanced Process)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Status RoHS Compliant —
Jenis Transistor — P-Channel MOSFET
Drain-to-Source Voltage (VDS) — -55 V
Continuous Drain Current (ID) at TC — -31 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
Gate-to-Source Voltage (VGS) max — ±20 V
RDS(on) max @ VGS=-10V — 60 mOhm
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min]
Power Dissipation (TC) — 110 W
Power Dissipation (TA) — 3.8 W
Suhu Hubungan Operasi — -55C to +175C
Lead-Free / RoHS — Yes (Pb-free suffix)
Packaging — Tape & Reel (TR)

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga