BSC060P03NS3EGATMA1 vs IRF5305STRRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC060P03NS3EGATMA1 bằng Infineon và IRF5305STRRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSC060P03NS3EGATMA1 - 30V P-Ch MOSFET 6mΩ 100A OptiMOS | Infineon
BSC060P03NS3EGATMA1 ✓ Hoạt động
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC060P03NS3EGATMA1 | IRF5305STRRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Polarity | P-Channel | P-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | — |
| Continuous Drain Current (Ta) | 17.7 A | — |
| Continuous Drain Current (Tc) | 100 A | — |
| On-State Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 6 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | -2.5 V | — |
| Total Gate Charge Qg @ VGS=10V | 81 nC | — |
| Input Capacitance Ciss | 6.02 nF | — |
| Output Capacitance Coss | 2.81 nF | — |
| Reverse Transfer Capacitance Crss | 220 pF | — |
| Power Dissipation (Ta) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (Tc) | 83 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55°C to +150°C | — |
| Hộp | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) | D2PAK (TO-263) Surface Mount |
| Technology | OptiMOS™ P-channel Trench | HEXFET (Advanced Process) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Kiểu transitor | — | P-Channel MOSFET |
| Drain-to-Source Voltage (VDS) | — | -55 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC | — | -31 A |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| Gate-to-Source Voltage (VGS) max | — | ±20 V |
| RDS(on) max @ VGS=-10V | — | 60 mOhm |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/min] |
| Power Dissipation (TC) | — | 110 W |
| Power Dissipation (TA) | — | 3.8 W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55C to +175C |
| Lead-Free / RoHS | — | Yes (Pb-free suffix) |
| Packaging | — | Tape & Reel (TR) |