H5ANAG4NBJR-UHC vs H5ANAG6NBJR-UHC Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci H5ANAG4NBJR-UHC disebabkan oleh SK hynix dan H5ANAG6NBJR-UHC disebabkan oleh SK hynix. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

SK hynix
H5ANAG6NBJR-UHC H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | SK Hynix

H5ANAG6NBJR-UHC ✓ Aktif

Pengandingan Spesifikasi

Parametr H5ANAG4NBJR-UHC H5ANAG6NBJR-UHC
Merek SK hynix SK hynix
Kategori DRAM DRAM
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Jenis Ingatan DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
Organisasi 256M x16 256M x 16
Supply Voltage (VDD) 1.14 V to 1.26 V (nominal 1.2 V) —
Clock / Data Rate 1.6 GHz —
Kemasan FBGA-96 (PBGA96) PBGA96 / FBGA-96 (TFBGA)
Suhu Operasi -40C to +95C -40C to +95C
Antaramuka CMOS, DDR4 (double data rate) DDR4 (CMOS)
Data Mask (DM) Yes —
Asynchronous Reset Yes Supported
On-Die Termination (ODT) Dynamic ODT —
ZQ Calibration Yes Supported
Write Leveling Yes Supported
CRC Function Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Jenis Pemasangan Surface Mount (BGA) —
Status RoHS Compliant RoHS Compliant
Latensi CAS [DATA_NEEDED: CAS Latency / speed bin detail] [DATA_NEEDED: CAS Latency]
Package Dimensions — 13 mm length (per JESD-30 R-PBGA-B96)
Access Mode — Multi Bank, Page Burst
Refresh — Auto / Self Refresh
Data Mask — Supported (DM function)
On-Chip Termination — Dynamic ODT
CRC — Supported
Supply Voltage Class — DDR4 (1.2 V class)
REACH Compliance — Compliant
ECCN — EAR99
HTS Code — 8542.32.00.36
Max Data Rate — [DATA_NEEDED: Max Data Rate]

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga