IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPD80R280P7ATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IPB60R040CFD7ATMA1 disebabkan oleh Infineon dan IPD80R280P7ATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IPB60R040CFD7ATMA1 IPD80R280P7ATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Status Stok In Stock —
Harga Unit (USD) $5.19 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS CFD7 CoolMOS P7
Technology Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET Superjunction (CoolMOS P7)
Drain-Source Voltage (VDS) 600 V —
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) 50 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current] —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 40 mΩ —
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ 4 V —
Total Gate Charge Qg typ [DATA_NEEDED: Qg] —
Pembuangan Kuasa (TC=25°C) 227 W —
Gambaran Suhu Operasi -55°C to +150°C —
Kemasan PG-TO263-3-2 (D2PAK) PG-TO252-3 (DPAK)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Integrated Body Diode Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode —
Aras MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL rating]
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Target Applications Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) —
Jenis Transistor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) — 800 V
Continuous Drain Current (I_D, Tc) — 17 A
R_DS(on) max at V_GS=10V — 280 mOhm
Power Dissipation (P_D, Tc) — 101 W
Gate-Source Voltage (V_GS) max — [DATA_NEEDED: V_GS max rating]
Suhu Hubungan Operasi — -55C to +150C
ESD Protection — Integrated (per datasheet)

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga