IPB60R040CFD7ATMA1 vs IPD80R280P7ATMA1 השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB60R040CFD7ATMA1 מאת Infineon ו IPD80R280P7ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 - 600V 50A 40mΩ CoolMOS CFD7 MOSFET | Infineon
IPB60R040CFD7ATMA1 ✓ פעיל
השוואת מפרטים
| פרמטר | IPB60R040CFD7ATMA1 | IPD80R280P7ATMA1 |
|---|---|---|
| מותג | Infineon | Infineon |
| קטגוריה | MOSFETs | MOSFETs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolMOS CFD7 | CoolMOS P7 |
| Technology | Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET | Superjunction (CoolMOS P7) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 600 V | — |
| Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) | 50 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 40 mΩ | — |
| Gate Threshold Voltage VGS(th) typ | 4 V | — |
| Total Gate Charge Qg typ | [DATA_NEEDED: Qg] | — |
| פיזור הספק (TC=25°C) | 227 W | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | -55°C to +150°C | — |
| מארז | PG-TO263-3-2 (D2PAK) | PG-TO252-3 (DPAK) |
| סוג הרכבה | Surface Mount | Surface Mount |
| Integrated Body Diode | Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode | — |
| רמת MSL | 1 | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| סטטוס RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Target Applications | Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC) | — |
| סוג טרנזיסטור | — | N-Channel MOSFET |
| Drain-Source Voltage (V_DS) | — | 800 V |
| Continuous Drain Current (I_D, Tc) | — | 17 A |
| R_DS(on) max at V_GS=10V | — | 280 mOhm |
| Power Dissipation (P_D, Tc) | — | 101 W |
| Gate-Source Voltage (V_GS) max | — | [DATA_NEEDED: V_GS max rating] |
| טמפרטורת צומת פעולה | — | -55C to +150C |
| ESD Protection | — | Integrated (per datasheet) |