IPB60R280P7ATMA1 vs IPD60R2K0PFD7SAUMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IPB60R280P7ATMA1 disebabkan oleh Infineon dan IPD60R2K0PFD7SAUMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IPB60R280P7ATMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Harga Unit (USD) $0.88 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 (600 V) —
Jenis Transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (SJ) Superjunction N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 12 A —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) 280 mOhm —
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ 3.5 V —
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) 53 W —
Kemasan PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO252-3-344 (DPAK)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Kiraan Pin 3 (2 + Tab) 3 (Gate, Drain, Source)
Gambaran Suhu Operasi -55 °C to +150 °C (T_j max) -55 C to +150 C (junction)
Configuration Single N-Channel —
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Generation 7th Gen CoolMOS (successor to P6) —
Series — CoolMOS PFD7
Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 3 A
Power Dissipation (P_D) at T_C — 20 W
R_DS(on) at V_GS = 10 V — 2000 milliohm (typ)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max]
Tingkat sensitiviti Air Nama (MSL) — MSL2 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance — Compliant
Standard Pack Quantity — 2500 pcs / 13-inch reel

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga