IPB60R280P7ATMA1 vs IPD60R2K0PFD7SAUMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB60R280P7ATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD60R2K0PFD7SAUMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPB60R280P7ATMA1 IPB60R280P7ATMA1 - 600V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPB60R280P7ATMA1 - 600V 280mOhm CoolMOS P7 MOSFET | Infineon

IPB60R280P7ATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB60R280P7ATMA1 IPD60R2K0PFD7SAUMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
فی یونٹ قیمت (USD) $0.88 —
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 (600 V) —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (SJ) Superjunction N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DSS) 600 V —
Continuous Drain Current (I_D, T_C=25°C) 12 A —
On-Resistance R_DS(on) max (V_GS=10V) 280 mOhm —
Gate-Source Threshold V_GS(th) typ 3.5 V —
Power Dissipation P_D (T_C=25°C) 53 W —
پیکیج PG-TO263-3 (D2PAK) PG-TO252-3-344 (DPAK)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
پن کی تعداد 3 (2 + Tab) 3 (Gate, Drain, Source)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C (T_j max) -55 C to +150 C (junction)
Configuration Single N-Channel —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
Lead-Free Yes —
Generation 7th Gen CoolMOS (successor to P6) —
Series — CoolMOS PFD7
Drain-Source Voltage (V_DS) — 600 V
Continuous Drain Current (I_D) at T_C — 3 A
Power Dissipation (P_D) at T_C — 20 W
R_DS(on) at V_GS = 10 V — 2000 milliohm (typ)
Gate Threshold Voltage (V_GS(th)) — [DATA_NEEDED: V_GS(th) typical and min/max]
نمی حساسیت کی سطح (MSL) — MSL2 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance — Compliant
Standard Pack Quantity — 2500 pcs / 13-inch reel

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں