IPD80R280P7ATMA1 vs IPB60R040CFD7ATMA1 Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IPD80R280P7ATMA1 disebabkan oleh Infineon dan IPB60R040CFD7ATMA1 disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IPD80R280P7ATMA1 IPB60R040CFD7ATMA1
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Status Stok — In Stock
Harga Unit (USD) — $5.19
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolMOS P7 CoolMOS CFD7
Jenis Transistor N-Channel MOSFET —
Technology Superjunction (CoolMOS P7) Superjunction (SJ) N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (V_DS) 800 V —
Continuous Drain Current (I_D, Tc) 17 A —
R_DS(on) max at V_GS=10V 280 mOhm —
Power Dissipation (P_D, Tc) 101 W —
Gate-Source Voltage (V_GS) max [DATA_NEEDED: V_GS max rating] —
Kemasan PG-TO252-3 (DPAK) PG-TO263-3-2 (D2PAK)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Suhu Hubungan Operasi -55C to +150C —
ESD Protection Integrated (per datasheet) —
Status RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Aras MSL [DATA_NEEDED: MSL rating] 1
Drain-Source Voltage (VDS) — 600 V
Continuous Drain Current (ID, Tc=25°C) — 50 A
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V — 40 mΩ
Gate Threshold Voltage VGS(th) typ — 4 V
Total Gate Charge Qg typ — [DATA_NEEDED: Qg]
Pembuangan Kuasa (TC=25°C) — 227 W
Gambaran Suhu Operasi — -55°C to +150°C
Integrated Body Diode — Yes - ultra-fast CoolMOS CFD7 diode
Target Applications — Soft-switching topologies (ZVS phase-shift full-bridge, LLC)

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga