IRLML2803TRPBF vs IRLML0030TRPBF Pengandingan

Pengandingan Sisi Kiri Sisi Kanan Terperinci IRLML2803TRPBF disebabkan oleh Infineon dan IRLML0030TRPBF disebabkan oleh Infineon. Bandingkan spesifikasi utama, parameter elektrik, pakej, status kehidupan, harga, dan keupayaan untuk menentukan komponen terbaik untuk keperluan disenjaya anda.

Pengandingan Spesifikasi

Parametr IRLML2803TRPBF IRLML0030TRPBF
Merek Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Status Lingkungan Hidup Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRLML2803TRPBF —
Jenis Transistor N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET Generation V IR HEXFET Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.2 A 5.3 A
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V 250 mOhm maximum —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] Logic-level (5 V optimized)
Gate Charge (Qg) 3.3 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 540 mW 1.3 W
Kemasan Micro3 / SOT-23 (3-pin) Micro3 / SOT-23 (3-pin)
Jenis Pemasangan Surface Mount Surface Mount
Gambaran Suhu Operasi -55C to +150C (TJ) -55C to +150C
Gate Drive Level Logic-level (driven from 3.3V / 5V) —
Aras MSL 1 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance Compliant, Halogen-Free —
FET Type — N-Channel
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 27 mOhm at VGS=4.5V
Total Gate Charge (Qg) — 3.6 nC typical
Soldering — Wave-solder capable
Qualification — JEDEC standard
Status RoHS — Compliant

Laporan Datasheet & Sumber

Lihat Semua Produk Buat BOQ Minta Bao Harga