IRLML2803TRPBF vs IRLML0030TRPBF مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IRLML2803TRPBF توسط Infineon و IRLML0030TRPBF توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Infineon
IRLML2803TRPBF IRLML2803TRPBF - 30V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2803TRPBF - 30V N-Ch MOSFET, 1.2A, SOT-23 | Infineon

IRLML2803TRPBF ✓ فعال
Infineon
IRLML0030TRPBF IRLML0030TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML0030TRPBF - 30V N-Channel HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML0030TRPBF ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر IRLML2803TRPBF IRLML0030TRPBF
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IRLML2803TRPBF —
نوع ترانزیستور N-Channel MOSFET —
Technology IR MOSFET Generation V IR HEXFET Power MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) 30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 1.2 A 5.3 A
On-Resistance RDS(on) at VGS=4.5V 250 mOhm maximum —
Gate-Source Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: typical VGS(th)] Logic-level (5 V optimized)
Gate Charge (Qg) 3.3 nC typical —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 540 mW 1.3 W
بسته‌بندی Micro3 / SOT-23 (3-pin) Micro3 / SOT-23 (3-pin)
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
محدوده دمای کاری -55C to +150C (TJ) -55C to +150C
Gate Drive Level Logic-level (driven from 3.3V / 5V) —
سطح MSL 1 1 (unlimited floor life per JEDEC J-STD-020)
RoHS Compliance Compliant, Halogen-Free —
FET Type — N-Channel
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) max — 27 mOhm at VGS=4.5V
Total Gate Charge (Qg) — 3.6 nC typical
Soldering — Wave-solder capable
Qualification — JEDEC standard
وضعیت RoHS — Compliant

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت